창신메모리 CXMT, DDR5 생산 수율 80% 달성: 2025년까지 90% 목표

중국 DRAM 제조사 CXMT(ChangXin Memory Technologies)가 DDR5 DRAM 생산 수율에서 80%를 달성하며 주목받고 있다. 이는 초기 생산 시작 당시 50%에 머물렀던 수율에서 크게 개선된 성과로, 2025년 말까지 90% 수율 목표를 설정했다. 이는 중국 내 DRAM 산업 발전과 글로벌 DRAM 시장 경쟁력 강화의 중요한 전환점으로 평가된다.

CXMT의 생산 현황: DDR4 및 DDR5

CXMT는 현재 중국 허페이(Hefei)에 두 개의 반도체 제조 공장을 운영 중이다.

1. Fab 1: DDR4 생산
   • 월간 생산 용량: 10만 장 웨이퍼
   • 제조 공정: 19nm
   • 수율: 90% 달성
2. Fab 2: DDR5 생산
   • 월간 생산 용량: 5만 장 웨이퍼
   • 제조 공정: 17nm
   • 수율: 80% (2025년 90% 목표)

DDR5에서 수율을 개선했음에도 CXMT는 여전히 글로벌 경쟁사인 삼성전자와 SK하이닉스에 비해 기술적 격차를 보이고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 12nm 기술로 DDR5를 생산하며, 낮은 전력 소모와 우수한 집적도를 자랑한다.

HBM2 개발 진전 및 미래 계획

CXMT는 DDR5 외에도 HBM(High Bandwidth Memory) 개발에 적극 나서고 있다.

• HBM2:
  • 고객 샘플링 진행 중
  • 2025년 중반 저량 생산(LVP) 목표
• HBM2 생산 장비 도입:
  2024년 3분기에 TSV(Through Silicon Via) 및 **KGSD(Known Good Stack Die)**와 같은 첨단 패키징 장비를 도입했다.

HBM2는 화웨이 Ascend 910과 같은 중국 내 AI 가속기 하드웨어 개발에서 핵심적인 역할을 할 것으로 예상된다. CXMT의 HBM2 개발은 자국 AI 산업의 기술 자립도를 높이는 데 기여할 전망이다.

CXMT의 확장 계획

CXMT는 2025년까지 Fab 2의 생산 용량을 추가로 5만 장 웨이퍼로 확장할 계획이다. 이를 통해 DDR5와 HBM의 생산 비중을 늘려 글로벌 시장에서의 점유율 확대를 노리고 있다.

• HBM 시장 전망:
  주요 글로벌 제조사들이 이미 HBM3와 HBM3E를 양산하고 HBM4 출시를 준비 중이지만, CXMT가 HBM2에서 성과를 거두는 것은 중요한 기술적 이정표로 평가된다. 이는 향후 HBM3 및 HBM3E로의 전환을 위한 기반을 마련할 것으로 보인다.

CXMT의 미래 전망

CXMT의 DDR5와 HBM 개발은 중국 정부의 반도체 자급률 목표와도 밀접히 연결되어 있다.

1. 글로벌 DRAM 시장:
   CXMT는 글로벌 기술 격차를 줄이기 위해 지속적인 공정 개선과 신규 기술 도입을 계획 중이다.
2. 내수 시장 성장:
   CXMT는 중국 내 스마트폰 및 컴퓨팅 OEM 제조사들을 주요 고객으로 삼아 안정적인 시장 기반을 확보하고 있다.
3. 기술 격차 극복:
   CXMT는 17nm 기술에서 12nm 이하의 첨단 공정으로 전환을 시도하며 에너지 효율성 및 성능 개선을 목표로 한다.

CXMT의 지속적인 성장은 중국 DRAM 산업이 글로벌 시장에서 경쟁력을 갖추는 데 중요한 기여를 할 것으로 예상된다. 2025년 이후에는 HBM 및 차세대 메모리 기술 분야에서도 더 큰 성과가 기대된다.

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https://www.techpowerup.com/330265/cxmt-achieves-80-yield-for-ddr5-chips-hbm2-production-and-capacity-expansion-underway